收藏本站
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
+
VDC
-
DUT
VDC + Vds
-
10V
Qgs
Qgd
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vds
Rg
Vgs
DUT
VDC + Vdd
-
90%
10%
Vgs
Vgs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t on
t off
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Rg
Vds
Id
Vgs
L
Vgs
VDC + Vdd
-
Vds
Id
2
E AR = 1/2 LI AR
BV DSS
I AR
DUT
Vgs
Vds +
DUT
Vgs
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vgs
Vds -
Ig
Isd
Vgs
L
VDC + Vdd
-
Isd
Vds
I F
dI/dt
I RM
t rr
Vdd
Rev.1.0: February 2014
www.aosmd.com
Page 2 of 5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
AO7410 MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70
AOB1606L MOS N CH 60V 178A TO263
AOB411L MOSFET P-CH 60V 8A TO263
AOD458 MOSFET N CH 250V 14A TO252
AOK42S60L MOSFET N-CH 600V 39A TO247
AON2405 MOSFET P CH 20V 8A DFN 2x2B
AON6232 MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6
AON6244 MOSFET N CH 60V 85A DFN5X6
相关代理商/技术参数
AO6808_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:780pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1
AO6810 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.1A TSOP-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO6810_11 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual N-Channel MOSFET
AO7400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AO7400L 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:
AO7401 功能描述:MOSFET P-CH -30V -1.2A SC70-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AO7401_11 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET
AO7401L 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: